台积电报告称正全力以赴地开发下一代工艺节点。台积电计划在今年晚些时候将投产首批 3 纳米工艺，并在 2025 年底前做好 2 纳米工艺的准备。
2 纳米节点的时间表上，魏哲家表示：“我们的 N2 开发正在进行中。我们有信心，N2将继续保持我们的技术领先地位，支持客户的增长。而且我们仍然计划在2025年投产。预生产将在 2024 年开始”。也就是说台积电2nm芯片将于2025年量产v2rayng的sublime。
同时，台积电（TSMC）曾对外公开表示，该公司在3nm工艺开发上取得突破v2rayn v4.12。其中在今年8月将可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度将有可能量产3nm制程的N3E，比预计提前了半年v2rayng的sublime，。
N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构，推出的时候将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，同时也会是台积电另一个大规模量产且持久的制程节点v2rayng的sublime。
据悉，在 N2 上台积电首次使用 GAA FET（全环绕栅极晶体管），逐渐取代 finFET （鳍式场效应晶体管）。三星已经开始使用他们版本的GAA，英特尔计划在2024年实施他们的版本。
是极限吗？ 之前台积电公布了先进制程发展规划图，从图中我们可得知v2rayng的sublimev2rayn v4.12，在步入3
所体现的IBM创新对整个半导体和IT行业至关重要，就目前情况来看，基于
论坛上公布未来先进制程路线图，推出首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管
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